同理，箭头从栅极指向另一个，低电平关，高电平关，就是低电平导通。说白了，箭头反方向的电流就是导通是p沟道还是n沟道，取决于电路图中箭头指向哪里:如果箭头指向栅极，就给栅极一个高电平，另外两个极根据沟道的不同(p沟道的源极s接输入，漏极d接输出，n沟道相反)。
简单来说，mos管是可控半导体，二极管是不可控单向导通半导体。
mos晶体管的原理在任何半导体物理书上都可以找到。我简单解释一下原理:以n沟道mos为例。当栅极g的输入电压超过导通阈值时，ds的两级之间开始导通，导通电流受栅极电压控制，呈线性变化。当栅压进一步上升，超过线性区时，我们称之为完全导通或关断，mos晶体管的电流不再随栅压线性变化，而是受其导通电阻的限制。
二极管只有一个pn结，只能单向导通，起整流作用(交流电转直流电)。
mos可以实现整流(同步整流技术)和逆变(dc到交流)。
irfp场效应晶体管是一种比较新的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因此而得名。它的外观也是三极管，所以也叫场效应三极管。
它的工作原理是当ugs0为0时，在漏源之间施加一定的电压，会有很多载流子在漏源之间漂移，产生漏电流。当ugslt0时，pn结反向，形成耗尽层，漏源之间的沟道会变窄，id减小，ugs继续减小，沟道继续变窄，id继续减小，直到0。当漏极电流为零时，对应的栅源电压ugs称为夹断电压ugs(off)。
n沟道结场效应晶体管的工作原理(1)ugs对导电沟道和di的控制作用ugs为0时，导电沟道不受任何电场的影响，施加uds时di最大；当ugs从零增加到负时，在gsu的反向偏置电压下，耗尽层会变宽，导电沟道会变窄，沟道电阻增加。当应用uds时，di将会减少。当│ugs│ugs(off)时，两边的耗尽层在中间完全闭合，导电沟道被夹断；栅极和源极之间对应的电压称为夹断电压ugs(off)。可以看出，改变ugs的大小可以有效地控制导电沟道电阻的大小。...
